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图3DOS和载流子分布图a）Zn3C2，云计应用b）Hg3C2，c）Cd3C2，d）T-VTe2，E）H-VTe2和f）H-TaTe2的DOS（E）和n（E）关系。图2第一性原理计算（DOS）a-b)DOS沿传输方向投射到石墨烯CS-FET上，算技术及用于a）开态和b）关态器件。

信息【图文简介】图1石墨烯CS-FET模型a）n型InSe基石墨烯CS-FET的侧视图。等效氧化物厚度（EOT＝0.54nm）、工作栅极长度（L＝7.8nm）和电源电压（VSD＝0.74V）根据2021国际半导体技术路线图（ITRS）对高性能晶体管进行参数化。然而，浅析其企业由于不可避免的化学无序和缺陷诱导的带隙态，浅析其企业传统的金属：半导体（MS）界面通常遭受强费米尔钉扎，从而限制了栅的可调控性【研究简介】近日，清华大学精密仪器系李黄龙副教授（通讯作者）及其博士后吕娟（第一作者）在Adv.Mater.上发表了一篇题目为ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。

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信息【图文导读】图1 TPAATPE和PPIATPE的光谱表征（a,b）TPAATPE和PPIATPE在稀释THF溶液（a）和纯薄膜（b）中的紫外-可见吸收光谱和PL光谱。基于TPAATPE的非掺杂器件显示稳定的纯蓝光，工作其CIE坐标为（0.15，0.16），最大EQE为6.97%。