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城区本文参考文献： EnxiuWu,YuanXie,ShijieWang,DaihuaZhang,XiaodongHu,JingLiu.Multiple-levelFlashMemoryBasedonStackedAnisotropicReS2-BoronNitride-GrapheneHeterostructures.Nanoscale,2020,DOI:10.1039/D0NR03965A.图文导读图1：ReS2器件结构及其各向异性电学性能表征图2：b轴晶向上ReS2存储器性能表征图3：晶向相关的ReS2多位闪存设计 通讯作者及团队介绍胡晓东天津大学教授。

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